6月24日，A股市场碳化硅板块大涨，三安光电（600703.SH）、东尼电子（603595.SH）涨停，英唐智控（300131.SZ）涨超9%。

　　上周以来，第三代半导体指数（8841294.WI）持续走高，连续多日收阳。

　　随即，多只概念股接连发布股票交易异常波动公告。碳化硅衬底商三安光电、东尼电子以及碳化硅设备商晶升股份（688478.SH）在公告中均提示，近期股价波动幅度较大，存在短期交易风险。

　　这轮行情的背后，是AI算力基础设施对碳化硅需求的叙事重构——从新能源汽车的动力辅助，到AI数据中心的核心材料，碳化硅正在经历一场价值重估。

　　“SiC（碳化硅）领域爆发在即，AIDC及先进封装为主要驱动因素。”方正证券研报指出，SiC行业有望享受多个下游领域高速增长，预计2026年及2030年全球等效6英寸SiC衬底需求量分别为295万片及1659万片，2026-2030年CAGR达54%。

　　碳化硅凭借其高耐压、高频率、高效率的物理特性，此前在新能源汽车、光伏逆变器、5G通信基站等领域加速渗透。

　　一方面，AI服务器功耗上行与机柜功率密度提升，对开关器件的耐压、效率与热管理提出更高要求，显著拉动了SiC价值量与渗透率。

　　固态变压器（SST）打开了碳化硅的新空间。英伟达已在算力中心供电白皮书中将SST确立为下一代800V高压直流供电架构的核心设备，其依托碳化硅功率器件的高频特性，可实现10kV中压交流至800V直流的一步式转换，全链路转换效率最高可达98.5%。

　　方正证券研报指出，SiC为800V应用场景的核心材料，相较硅方案，SiC器件导通电阻仅为硅基器件的1/10，可大幅降低导通损耗，同时在百千瓦级高功率密度场景下SiC散热性能更优，可有效缩减热系统体积与成本，且SiC MOSFET开关损耗远低于硅基IGBT，可显著提高电源转化效率。伴随后续800V HVDC及SST渗透率提升，SiC将迎加速放量。

　　容芯致远联合创始人、CTO石旭也告诉21世纪经济报道记者，为有效降低电流损耗，大规模智算数据中心一定会走向高压直流，全面走向800V高压直流供电是必然趋势。碳化硅已成为业内制造高压器件的主流方案，其在该领域的应用地位与IGBT一样。

　　天风证券指出，使用碳化硅MOSFET替代硅基MOSFET，可以提高开关频率，降低反向恢复损耗，有效减少元件数量，增加电源功率密度，提高电力转换效率。碳化硅的禁带宽度、临界击穿场强、热导率和饱和电子漂移速率都高于硅，有着出色的耐高温和耐高压能力，同时可以有效传导热量，提升中介层机械强度，或将成为解决高功耗芯片封装痛点的理想材料。

　　以英伟达为例，方正证券指出，下一代Rubin芯片预计将在下半年量产，带动台积电CoWoS先进封装技术升级，SiC因其导热率更高成为最佳TIM层（散热层）材料。

　　一年前，国内碳化硅赛道的景象与今日截然不同——受新能源汽车降本诉求与前期大规模产能投放的双重挤压，2025年碳化硅行业经历了一场由供需失衡引发的激烈价格战。

　　而自2025年四季度以来，供需格局显著改善：在供给端，行业SiC新增晶圆产能扩张节奏有所放缓；在需求端，主驱、OBC、充电模块等传统应用领域国产SiC MOS器件的需求持续快速增长，消费电源、AI等新兴应用场景需求也集中爆发。

　　有功率半导体厂商告诉记者，碳化硅的长晶和切片等前端制程跟传统硅基材料完全不同，必须从头开发产线，这就导致早期成本极高。后来国产化大军涌入，经过几轮价格战把价格打了下来。“此前碳化硅之所以卷得那么厉害，一方面是国产产能集中释放导致中低端产品过剩，另一方面也是市场担忧新能源车的增速放缓。但现在逻辑变了，AI数据中心的爆发带来了海量的大功率电源需求，这又给碳化硅打开了全新的增长空间。”

　　供需格局的改善直接体现在价格上。此前杀跌严重的6英寸碳化硅衬底价格已止跌企稳，甚至出现结构性回升。

　　今年4月初，晶升股份在接受机构调研时表示，碳化硅衬底市场于近月释放出了积极信号：碳化硅衬底价格呈现结构性上涨，6英寸产品价格较大幅度反弹，8英寸价格则止跌企稳并小幅上涨。部分衬底厂商已收到其下游客户的新增订单需求。行业供需格局得到明显改善。

　　“当前8英寸碳化硅需求增速不及2023年、2024年6英寸需求爆发阶段，但我们认为目前订单的确定性和可靠性较之前更高，主要原因在于，经过上一轮行业周期后，碳化硅衬底厂商在产能扩张、资本开支方面均更为理性谨慎，整体行业发展从过去的高速扩张阶段转向更稳健、可持续的增长阶段。”晶升股份进一步指出。

　　还有企业开启了新一轮涨价。如行业信息显示，扬杰科技近日发布涨价函，对全系列产品价格进行调整，调整幅度为10%～15%，新价格自2026年7月1日起正式执行。其产品组合中涵盖碳化硅业务，此次调价意味着该公司旗下的碳化硅系列产品也将同步迎来涨价。

　　在6月22日发布的股票必威科技有限公司交易异常波动公告中，晶升股份提示道：在AIDC、先进封装等新兴应用场景中，目前碳化硅正处于小批量测试阶段，下游客户认证、批量采购落地进度存在较大不确定性，在下游相关新应用领域实现规模化技术落地前，暂不会形成大批量使用。

　　6月24日，捷捷微电（300623.SZ）也在投资者关系平台上表示，该公司目前开展了少量碳化硅器件的封测，但该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。

　　以基本半导体研发微间距碳化硅MOSFET为例：自2024年8月起，该公司便开始开发微间距工艺平台，主要面向数据中心及服务器电源的微型逆变器、算力电源、储能、电信电源及伺服电机的产品。

　　直至今年，其产品才开始量产：该公司已能运用微间距工艺平台生产用于高压直流AI数据中心服务器电源的650V碳化硅MOSFET，其AI数据中心服务器电源产品于2026年第一季度开始量产；也已能运用微间距工艺平台生产用于固态变压器的核心组件2000V碳化硅MOSFET，该产品预计于2026年第二季度开始量产。

　　究其原因，AI电源、芯片封装对可靠性要求极高，客户验证周期往往长达数十个月。在这个过程中，需求侧的“脉冲式订单”难以转化为“持续性收入”。

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