布局算电协同，发力AI服务器电源赛道。公司围绕算电协同深度布局，深耕SST固态变压器，搭建一至三级服务器电源全矩阵，可提供功率器件、隔离驱动、MCU、磁器件一体化系统代工方案；持续迭代工艺平必威台，高压BCD不断升级，8英寸SiC产线规模化量产，第二代SiC工艺大幅提升能效与可靠性；同时具备3300V/4500V超高压IGBT量产能力，自研SiC平台覆盖650V-3300V全电压MOSFET。产品适配AI服务器供电与风光储微电网场景，覆盖柔直、SST、PSU、POL等全层级算力供电芯片制造。目前数据中心专用电源工艺平台导入核心客户，服务器电源业务将成为核心增长引擎。

　　四期项目启动，产能与业务版图持续扩张。公司拟启动绍兴四期项目，联合地方主体合资打造月产能5万片的12英寸数模混合芯片产线%。该项目规划五大工艺平台，覆盖28–55nm车规MCU、AI端侧DSP、90nm高端BCD数模混合芯片、55nmAI服务器电源管理芯片、硅光及SiGe光通信芯片等方向，在巩固传统优势主业的同时，重点切入AI服务器电源、光互联两大高增长赛道。四期项目全面投产后，公司折合8英寸晶圆月产能将突破40万片，进一步强化在功率半导体、模拟芯片领域的技术与产能壁垒，补齐国内硅光制造产能短板，深度参与AI算力基础设施建设，长期成长空间持续打开。

　　技术迭代和研发投入不及预期的风险；市场竞争加剧风险；客户导入不及预期风险。